| 頻率表已通過了4.6條所述體例的短路放電試驗(yàn)的電容器,不再作本試驗(yàn),零丁作此試驗(yàn)時(shí); 體例亦如4.6條所述。 4.7.2隔離試驗(yàn) 4.7.2.1試驗(yàn)程序 用一臺電容器作試驗(yàn)時(shí),首先在下限電壓下進(jìn)行。在一根熔絲熔頻率表斷之后,盡快轉(zhuǎn)換到頻率表上限電壓,直到另一根熔絲熔斷。 用頻率表二臺電容器作頻率表試驗(yàn)時(shí),一臺在下限電壓,另一臺在上限電壓下試驗(yàn)。 試驗(yàn)電壓可以頻率表是直流或交換(見表4),由制造廠選擇。 表4 隔離試驗(yàn)電壓 如果選用交換電壓,在試驗(yàn)時(shí)應(yīng)把電容器電流和擊穿時(shí)間記實(shí)下來,以確定擊穿的觸發(fā)是否在交換試驗(yàn)電壓的峰值或其四周的瞬間發(fā)生。 對全部元頻率表件并聯(lián)的電容器,特別適用于直流電壓試驗(yàn)。 為了使和熔絲相串連的元件易于擊穿,可采納下列體例之一或此外適宜的體例。 a.預(yù)熱電容器 在施加下限電壓前,將電容器置于烘箱中預(yù)熱,預(yù)熱溫度為100～150℃,由制造廠選取,以求在實(shí)際上短的時(shí)間(幾分鐘到幾小時(shí))內(nèi)取得*一次擊穿。 在施加上限電壓時(shí),應(yīng)采取較低的預(yù)熱溫度,以免在未達(dá)到試驗(yàn)電壓時(shí)就擊穿。在試驗(yàn)中,要把電容器電流記實(shí)下來。為了避免內(nèi)部液體的壓力由于溫度升高而升得太高,可以在電容器上裝備一個(gè)帶有閥門的排流管,在施加試驗(yàn)電壓時(shí),必須把閥門關(guān)上。 b.機(jī)械刺穿元件 元件的機(jī)械刺穿,可用釘子通過預(yù)先在外殼上鉆好的孔打入元件,不克不及要求包管僅僅只有一個(gè)元件被刺穿,應(yīng)采納法子避免沿著釘子或通過釘子刺穿的洞向外殼放電。 c.電擊穿元件 試驗(yàn)電容器中的一些元件,每只都備有一個(gè)插于是南層間的插片,每一個(gè)插片分袂接到一個(gè)零丁的引出端子上。 要此改裝的某一元件擊穿,只要在該元件的任一極板與插片之間加上一個(gè)足夠高的電壓。 4.7.2.2在上限電壓下作試驗(yàn)時(shí),允許在試驗(yàn)歷程中有另一根(或接有熔絲的直接頻率表并聯(lián)的元件數(shù)的十分之一)接在未擊穿的元件上的熔絲損壞。 4.7.2.3擊穿之后,要將試驗(yàn)頻率表電壓連結(jié)幾秒鐘,已確證熔絲確已起到隔離作用。 4.7.2.4為了校驗(yàn)熔絲的限流性能,在上限電壓下試驗(yàn)時(shí),除過渡電壓之外,熔斷了的熔絲間隙上電壓的下降不得跨越30%。 4.7.2.5如果熔絲不克不及滿足4.7.2.4項(xiàng)的要求,就要確定并聯(lián)貯存能量和得自系統(tǒng)的故障電流是否能代表運(yùn)行條件,然后再進(jìn)行試驗(yàn)以證實(shí)熔絲的動作是否滿意。 4.7.2.6在作這個(gè)試驗(yàn)時(shí),應(yīng)該注意到電容器可能爆炸。 4.7.3電容丈量 在作隔離試驗(yàn)之后,應(yīng)丈量電容,以確證熔絲已經(jīng)燒斷。 所采取的丈量體例的靈敏度應(yīng)足夠檢測出由一根絲斷開所引起的電容轉(zhuǎn)變。 4.7.4對電容器的不雅觀察 首先不雅觀頻率表察外殼有無顯著變形,然后打開外殼進(jìn)行檢驗(yàn): a.未熔斷的熔絲無顯著變形; b.沒有跨越一個(gè)(或頻率表直接并聯(lián)的裝熔絲的元頻率表件的十分之一)以上的另外的熔絲損壞(見4.7.2.2項(xiàng))。 4.7.5 打開外殼后的電壓試驗(yàn) 電壓試驗(yàn)對燒斷的熔絲的間隙進(jìn)行。施加的試驗(yàn)電壓值如表5所示。對元件全部并聯(lián)的電容器, 可以在頻率表打開外殼之前用交換電壓來試驗(yàn),試驗(yàn)電壓之值應(yīng)如表5所示。 表5 間隙隔離試驗(yàn)電壓 4.8局部放電試驗(yàn) 局部放電試驗(yàn)的體例按專業(yè)尺度《電力電容器局部放電丈量》,并優(yōu)先采取平衡電路。 5.試驗(yàn)述說在試驗(yàn)述說中以下內(nèi)容: a.試品的頻率表名稱及型號、出廠日期、制造廠; b.試驗(yàn)時(shí)的情況條件(溫度、濕度、氣壓); c.試驗(yàn)電壓; d.試驗(yàn)儀器型號及編號; e.試驗(yàn)成果; f.產(chǎn)品尺頻率表度代號; g.試驗(yàn)尺度代號; h.其它。 附錄A電容溫度系數(shù)計(jì)較體例(參考件) 本附錄規(guī)定了采取數(shù)理統(tǒng)計(jì)回歸分析計(jì)較電容溫度系數(shù)的體例。 A1 計(jì)較法 設(shè)試品在電介質(zhì)溫度為Ti(T1、T2……Tn)下頻率表測得的電容值分袂為Ci(C1、C2……Cn),在正的工作溫度范圍內(nèi),試品的電容與溫度之間成線性關(guān)系,即 系數(shù)A,B可按下式計(jì)較得出: 式中:T(℃)、C(μF)分袂為試品的T1、Ci的平均值。 試品的電容溫度系數(shù)為: 式中:dc-電容溫度系數(shù)(1/℃) C20-20℃時(shí)的電容值,須由(A1)式計(jì)較。 注:使用具有回歸分析功能的計(jì)較器進(jìn)行計(jì)較,可節(jié)流計(jì)較時(shí)間、經(jīng)常使用的計(jì)較器有DS-5、EL5002、EC512、fx-3600P等。計(jì)較體例見其使用說明書。 A2數(shù)據(jù)取舍 A2.1明顯的不公道數(shù)據(jù),如電容隨溫度增高而呈直線下降(或上升)關(guān)系的產(chǎn)品,當(dāng)其中某一溫度下的電容丈量值卻比鄰近溫度下的電容丈量值有明顯的增大(或減小),則按下述舍棄尺度舍棄。 |
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