化學氣相沉積設備廠家
NRP-4000 反應離子刻蝕（RIE）/等離子增強化學氣相沉積（PEVCD）雙系統(tǒng)一體機
一、NRP-4000系統(tǒng)應用：
該系統(tǒng)是我們專門為R&D環(huán)境提供的一種更經濟有效的雙功能方案(RIE/PECVD)用于不同的應用，替代購買兩套獨立的系統(tǒng)。雙系統(tǒng)一體機可以極大的節(jié)省實驗室的空間和成本。該系統(tǒng)通過共用渦輪分子泵組以及兩個腔體之間的門閥，還有計算機控制系統(tǒng)，以及有些部分的MFC等核心組件的共用，節(jié)省成本。用戶可通過計算機控制軟件選擇RIE或PECVD,用戶針對應用在不同的腔體中放置相應的樣片即可通過計算機軟件控制并自動完成整個工藝。
此雙系統(tǒng)設備支持所有的RIE刻蝕應用和PECVD沉積應用。
二、NRP-4000雙系統(tǒng)概述：
在PECVD一側我們可以沉積非晶硅、氧化硅和氮化硅，在RIE一側可以刻蝕氧化硅和氮化硅（當然可以根據(jù)使用不同的工藝氣體達到不同的應用）。
在RIE一側具有一些獨特的性能：基于PC計算機全自動的工藝控制而確保優(yōu)越的可重復性，并且獨特的樣品臺冷卻技術防止RF射頻泄漏，從而不會產生業(yè)內其它系統(tǒng)所發(fā)生的那樣自偏壓的下降和偏離。
過去的設計中PECVD一側的14“不銹鋼立方腔體。*近，我們已經改變腔體的設計為13”陽極氧化鋁腔體（如RIE腔體），這是我們更新的設計并且減少了淋浴頭等離子源和樣品臺之間的間距，并在晶圓上取得了*佳的均勻度。請參考附上的工藝數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)中可以看到我們可以在200度左右的溫度下沉積氧化硅和氮化硅。我們?yōu)榉磻獨怏w提供了氣體環(huán)，使得生長的薄膜具有更出色的化學計量比。
在RIE一側，我們也可以提供額外的離子源-淋浴頭RF等離子源用于等離子各向同性刻蝕。系統(tǒng)也具備RF電源從等離子源切換到RIE端用于各向異性刻蝕的能力。另外額外的選項也可以被加入到系統(tǒng)中，比如ICP離子源，可以實現(xiàn)高速率的刻蝕和沉積，也可以在PECVD側增加低頻模塊用于控制氮化物薄膜的應力，等等。
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